Mis 9: Porta NAND con BJT

March 20, 2018 | Author: Anonymous | Category: Ingegneria, Elettrotecnica
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Jucelin Junior 4°C Informatica 29-05-2012 Mis 9: Porta NAND con BJT

Componenti: R1=1.5kΩ R2=R3=33KΩ Q1=Q2=2n222 (Transistor NPN)

Transistor: Il transistor BJT presenta una caratteristica fondamentale, esso consente di controllare mediante una corrente di ingresso di basso valore l’intensità di una corrente di uscita molto più elevata. questa proprietà fa si che il transistor bi polare possa essere impiegato sia come amplificatore di corrente, e quindi di tensione, sia come interruttore controllato in corrente.

Schema Elettrico:

TENSIONE[V] A

B

Y

0

0

5,102

0

5

5,102

5

0

5,102

5

5

0,465

Collegare A e B a GND/5V e misurare la tensione in Y con il multimetro. LIVELLI LOGICI A

B

Y

L

L

ON

L

H

ON

H

L

ON

H

H

OFF

Collegare A e B a due switch e Y ad un led. Completare la tabella indicando ON/OFF per Y. Tabella della porta logica NAND

Circuito su BreadBoard:

Conclusione: Abbiamo realizzato una porta NAND con il Transistor BJT. - quando il transistor è in saturazione hai una tensione Vce di saturazione sul collettore (è molto bassa e quindi corrisponde allo 0 logico), quindi 0V di conseguenza il led non si accende(OFF) - quando è interdetto sul collettore hai Vce e quindi hai l'1 logico, quindi 5V di conseguenza il led si accende(ON).

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